根据 TrendForce 记忆体储存研究（DRAMeXchange）调查显示，美国商务部工业和安全局（BIS）于 5 月 15 日公布针对华为出口管制的新规範，未来使用美国半导体相关设备的外国晶片製造商必须要特别申请核准，才可对华为、海思以及其他相关公司出货。虽然相关法条仍存有进一步解释的空间，但目前观察对于记忆体的採购（含 DRAM 与 NAND Flash）影响有限，各原厂仍可继续对华为出货。但值得注意的是，美国对于华为或整体中国品牌的规範力道会持续增强，因此对于后续记忆体的供给或需求面的冲击还需要持续观察评估。
以记忆体的需求面来说，主要观察重点在于禁令是否会冲击华为的终端出货表现（涵盖智慧型手机、笔记型电脑、伺服器相关以及网通产品）。TrendForce 认为，对于目前关键零组件库存量相对足够的智慧型手机、笔电与伺服器等产品而言，短期内的出货冲击较低；主要影响可能是在 5G 基地台、网通类别产品的后续出货动能。然而，考量禁令仍有 120 天的缓冲期，加上华为先前为避免受禁制令影响，已预先拉高零组件库存，因此 TrendForce 认为，禁令对华为终端出货造成具体冲击的时间点最快会落在 2020 年第四季以后。
TrendForce 认为，目前所有记忆体原厂生产的 DRAM、NAND Flash 以及其他相关解决方案的产品设计并未针对华为、海思以及其相关公司特别研发，因此对华为等公司的出货不受此次禁令的限制。至于美国的记忆体供应商（美光与英特尔）也因为先前已取得特殊出货许可，因此仍可照常对华为出货。
不过，未来美国对华为其相关公司甚至整体中国品牌的制裁力道可能会继续增强，因此，就算记忆体的供给面顺畅无虞，但终端出货的冲击仍将难以避免。先前在新冠肺炎疫情持续扩散的考量下，TrendForce 已全面下修 2020 年 DRAM 与 NAND Flash 均价的预估，而美国对整体中国品牌的相关制裁将使得后续价格面临更大压力。
另一方面，近年来中国对半导体生产自主化的急迫性快速增加，其中最重要的环节就是记忆体相关产品。目前长江存储即将量产 128 层 3D NAND 产品，而长鑫存储已经有 19 奈米的 DDR4 产品小量问世，足以代表中国近 3 到 5 年来在记忆体自主研发上已得到初步成果。在美国对中国制裁力道持续增强的态势下，中国的记忆体发展势必会更为积极，以降低对其他国家的依赖程度。
