英特尔预计 2021 年全面转向144 层堆叠 NAND ,还将推新 Optane-

英特尔预计 2021 年全面转向144 层堆叠 NAND ,还将推新 Optane

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处理器龙头英特尔 (Intel) 近期在快闪记忆体的发展上也随着其他各家厂商的脚步,开始有了新的进度。根据外媒报导,英特尔的快闪记忆体部门最近公布了他们的发展蓝图,就是在目前其他各家 NAND 快闪记忆体供应商都已经开始向 1xx 层堆叠的发展当下,做为主要 NAND 製造商之一的英特尔也预计在 2021 年全面转向 144 层堆叠的产品发展。

英特尔新发展的 144 层堆叠的 QLC NAND 快闪记忆体代号为「Keystone Harbor」。另外,英特尔也正在开发 5 bit 的 PLC 晶片,密度再提高 25%。这将使得英特尔预计再推出第 2 代傲腾(Optane)3D X-point 快闪记忆体,新产品的代号则为「Alder Stream」,支援 PCI-Express gen 4.0 介面。

据了解,首先使用 144 层堆叠 NAND 的产品会是英特尔自家的 QLC SSD,并预计在 2020 年稍晚推出产品。另外,除了研究更高层数的堆叠技术外,英特尔还在积极开发 PLC,也就是单个单元储存 5 bit 数据的新 NAND 快闪记忆体。不过,英特尔并没有公布具体会在什幺时候推出 PLC SSD。而在将 QLC SSD 升级到 144 层堆叠之后,预计在 2021 年,英特尔会把全系列的 SSD 都升级到採用 144 层堆叠 3D NAND 快闪记忆体。

英特尔的快闪记忆体部门是与记忆体大厂美光科技(Micron Technology)分拆后而成为该公司的一部分。然而在技术上,英特尔未来将藉由新的 144 层堆叠 3D NAND 快闪记忆体而超越美光科技。预料,该 3D NAND 快闪记忆体大约将在美光开始推出其 128 层 3D NAND 快闪记忆体的同时也开始交付给客户。

而目前在全球市场上,南韩的 SK 海力士将在 2020 年稍晚开始销售其 128 层堆叠 3D NAND 快闪记忆体。而铠侠 (KIOXIA) 则已经在 2020 年年初推出 112 层堆叠 3D NAND 快闪记忆体。而中国的长江存储则是在日前宣布推出两款 128 层堆叠的 3D NAND 快闪记忆体,分别为容量为 1.33Tb 的 128 层 QLC 3D NAND Flash 快闪记忆体,以及容量为 512Gb 的 128 层 TLC 3D NAND Flash 快闪记忆体。

另外在新一代 Optane 的发展上,英特尔则将会使用 4 层的第 2 代 3D XPoint 快闪记忆体,并且换上全新的控制器和 PCIe 4.0。新一代 Optane SSD 的最大容量可能将达到 3TB,这会是运用在企业级产品上的容量,预计在英特尔未来推出下一代代号「Sapphire Rapids」的 Xeon 系列伺服器处理器和 Eagle Stream 平台时,新一代 Optane SSD 将会是其中的一部分。英特尔表示,目前正在位于新墨西哥州的工厂进行 3D XPoint 技术的研发,并拥有多家能够生产 3D XPoint 的工厂。

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