根据记忆体大厂南亚科的最新重大讯息公告指出，南亚科董事会于 6 日决议，将追加新台币 65.6 亿元的资本支出预算，用以打造 10 奈米级製程产线。先前南亚科的董事会决议，在年度资本支出的部分，南亚科 2020 年度资本支出预算以不超过新台币 92 亿元为上限，其中包含 10 奈米级製程研发、试产及 20 奈米递延等资本支出等。如今再加入新的资本支出预算，预计 2020 年度的资本支出预算交以不超过 157.6 亿元为上限。
事实上，南亚科总经理李培瑛在上一季法说会上就已经宣布，南亚科已完成自主研发 10 奈米级 DRAM 生产技术，并且将在 2020 年下半年试产。而南亚科新成功开发出的 10 奈米级 DRAM 生产技术，预计将使 DRAM 产品可持续微缩至少 3 个时代。而第一代的 10 奈米级产品包括 8GB DDR4、LPDDR4 及 DDR5 将建构在自主製程技术及产品技术平台上，并预计 2020 下半年进入产品试产阶段。
至于，第二代 10 奈米级製程技术已开始进入研发阶段，预计 2022 年前导入试产，之后将会再开发第三代的 10 奈米製程技术。李培瑛强调，南亚科进入 10 奈米级製程之后，会以自行研发的技术为主，降低授权费用支出，以大幅提升效能。
目前以全球 DRAM 记忆体市场来说，其主要生产技术掌握在南韩三星、SK海 力士、以及美商美光等 3 家企业的手中，而且 3 家厂商的合计市场占有率高达 95% 以上，其关键原因就在于 3 家企业的技术专利形成了极高的门槛，使其他公司不容易有机会进入市场。
而当前南亚科现在以 20 奈米级的技术为主力，技术来源为过去的合作伙伴美光，而且每年也支付美光相关技术授权费用。而随着南亚科导入自主的 10 奈米级製程技术之后，则未来将不再大幅度仰赖美光授权，使得高昂授权费支付的情况也可以减少，有利于南亚科往后的营运发展。
