中国半导体封测厂积极扩产并布局高阶封测，因应 5G 需求。市场人士指出，对台厂日月光投控和记忆体封测厂力成影响有限。
中国半导体封测厂积极扩产和布局高阶封测，中国法人报告日前指出，通富微电拟非公开发行募集不超过人民币 40 亿元，总投资金额人民币 54.08 亿元，包括投资在积体电路封装测试二期工程（人民币 25.8 亿元）、车载品智慧封装测试中心建设（人民币 11.8 亿元）、高效能中央处理器等积体电路封装测试项目（人民币 6.28 亿元）。
在产能布局，法人指出，通富微电加码 5G 高阶封装，专案实施于苏通厂。另外在崇川厂布局投资汽车电子专案，并继续在苏州厂扩大对超微（AMD）的封测能力。市场人士表示，美系客户消费型 7 奈米产品，除了在通富微电封测外，也在台厂硅品封测布局。
至于日月光投控的车用电子封测，最新揭露今年第 1 季汽车和消费电子与其他应用占封测营比重约 31% ，因此，通富微电对台厂影响有限。
此外，中国长电科技拟追加资本支出人民币 8.3 亿元因应重点客户产能扩充。法人指出，随着 5G 渗透率的提升，长电科技受惠海外大客户在 5G 领域封测需求，进而追加资本支出。
市场人士表示，长电追加资本支出，对日月光投控没有影响。
中国封测厂也切入记忆体封测。法人指出，通富微电与中国合肥长鑫密切合作。预计 2022 年合肥长鑫一期动态随机存取记忆体（DRAM）产能可望满载，通富微电有机会取得合肥长鑫 50% 的 DRAM 记忆体封测订单。
法人指出，通富微电合肥厂主要客户包括晶丰明源、深圳明微等，合肥厂积极朝向 DRAM 封测布局。
市场人士指出，台厂力成仍是全球最大记忆体专业委外封测代工（OSAT）厂，通富微电布局 DRAM 封测，对力成影响有限。
