日前发表 2020 年首季初步财报，因受惠于记忆体业务的价格回温与需求成长，让初步营收报告符合市场预期的南韩三星，为保持记忆体产能的持续成长，因此透过使用製程技术的优化与进步，持续提升产能。
据南韩媒体《Business Korea》报导，2019 年三星花费 1.86 兆韩圜购买新晶圆，虽然较 2018 年花 1.66 兆韩圜提升，但 2019 年新晶圆价格较 2018 年成长 12%，所以比较两年晶圆的投入量几乎没有变化。另一方面，三星 2019 年半导体产量为 8,890 亿 Gb，较 2018 年 7,110 亿 Gb 成长 39%，说明三星透过製程技术改进，而非设备扩建增加半导体供应和获利能力收到成效。
报导指出，三星记忆体领域投资，2017 年达 27.35 兆韩圜高峰后，2018 年和 2019 年分别下降至 23.72 兆韩圜和 22.56 兆韩圜。只是相关投入金额虽然降低，但生产力显着提高，原因就在三星优化与改进製程，以因应 2020 年市场需求与变化。
报导指出，三星在生产记忆体製程的微缩发展，DRAM 方面，现阶段正努力将第一代 10 奈米（1x）製程转换为第二代（1y）或第三代（1z）製程。随着 DRAM 生产技术升级，单一晶圆生产的记忆体数量也增加 20%~30%。特别的是，採用（EUV）极紫外光刻设备大规模生产的第四代 10 奈米（1a）DRAMs 情况下，相较第一代 1x 製程技术来说，单一晶圆生产的记忆体数量有翻倍数量。
NAND Flash 快闪记忆体的发展，三星也在 2019 年成功量产第六代（1xx 层）NAND Flash 快闪记忆体。相较第五代（9x 层）产品，第六代（1xx 层）NAND Flash 快闪记忆体晶片尺寸更小，每片晶圆的生产量比第五代（9x 层）产品高约 20%。三星预测，NAND Flash 快闪记忆体的单位容量产能，2020 年也将提升 30%，NAND Flash 快闪记忆体出货量预计也进一步增加。
报导引用南韩半导体市场专家说法表示，因三星有压倒性的成本竞争力，所以对于竞相进入产业的中国对半导体业者来说，预计大量金额投资之后，却不容易收到市场成效。如中国记忆体大厂长江存储近日宣布，将在 2020 年量产 128 层 NAND Flash 快闪记忆体。虽然长江存储的产品与三星相同，採用「双堆叠」方式，将两个 64 层 NAND Flash 快闪记忆体堆叠起来，相较三星是目前唯一一家有技术双堆叠 90 层以上 NAND Flash 快闪记忆体的厂商，产品技术仍相对落后。
