就在上週，台积电在 2020 年第 1 季法人说会宣布，台积电 3 奈米製程将在 2021 年试产，并在 2022 下半年正式量产之际，也同时宣布 3 奈米製程将仍採仍採原有的 FinFET（鳍式场效电晶体），不採与竞争对手三星相同的 GAA（环绕闸极电晶体）。而为何台积电的 3 奈米将持续採 FinFET 的原因，是不是因为良率或成本的因素。对此，台积电并没有给答案。
台积电原定在 4 月 29 日于北美技术论坛发表的相关 3 奈米技术细节，目前因疫情的关係，将延后到 8 月召开。因此，预计台积电 3 奈米製程仍採原有的 FinFET ，不採与竞争对手三星相同的 GAA 的原因，届时会有比较清楚的了解。不过，对台积电 3 奈米的效能，现在国外媒体就已有所报导，指称台积电 3 奈米製程的每平方公釐电晶体数量可能低于 3 亿个，也就是约在 2.5 亿个。
根据国外科技媒体《Gizchina》报导指出，过去採用台积电 7 奈米 EUV 加强版製程的华为麒麟 990 处理器，晶片大小为 113.31 平方公釐，电晶体数量为 103 亿个，平均每平方公釐约为 9,000 万个。而在 3 奈米製程技术的电晶体数量至少为 7 奈米製程的 3 倍情况下，将使得 3 奈米製程晶片的电晶体数量将大约为每平方公釐 2.5 亿个左右，而这样的先进製程足以将过去的 Pentium 4 处理器缩小到如一根针大小。
报导进一步指出，之前台积电总裁魏哲家就曾经表示，3 奈米製程是在 5 奈米製程之后，在製程技术的完整世代技术跨越，相较第一代 5 奈米製程技术，第一代的 3 奈米製程技术的电晶体密度将提升约 70%，预算速度提升 10% 到 15%，能耗降低 15%，使得晶片的整体性能提升 25%~30%，这使得 3 奈米製程技术将进一步达成台积电在晶片製造技术方面的领导地位。
之前，外媒曾经在 2019 年 10 月报导表示，台积电生产 3 奈米製程的工厂已经开始建设，工厂占地 50~80 公顷，预计花费 195 亿美元。对此，在日前台积电的法说会上，魏哲家也强调 3 奈米製程技术的研发正在按计画进行中，预计 2021 年进行试产，而最终的目标是在 2022 年下半年大规模量产。而对于 3 奈米製程将仍採仍採原有 FinFET，不採与竞争对手三星相同的 GAA，虽然外传台积电是基于成本与良率因素，但台积电并没有明确说明。不过此问题预计延后于 8 月举行的北美技术论坛将明确公布。
