南韩三星电子于 25 日宣布，已经成功出货 100 万个极紫外光刻技术（EUV）生产的业界首款 10 奈米级 DDR4 DRAM 模组，将为高阶 PC、行动设备、企业伺服器和资料中心应用等提供更先进 EUV 製程技术产品，开启新里程碑。
据南韩媒体《KoreaBusiness》报导，三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Lee Jung-bae 指出，随着以 EUV 技术所生产的新型 DRAM 量产，展示三星对提供革命性的 DRAM 解决方案以支援全球 IT 客户需求的承诺。 另外，这项重大进展也说明三星将如何透过即时开发高阶製程技术来生产高阶记忆体市场的下一代产品，继续为全球 IT 创新贡献心力。
报导表示，三星是首家在 DRAM 生产採用 EUV 技术的记忆体供应商，用以克服 DRAM 发展上的挑战。而因为 EUV 技术的採用，减少了多重影像製作中的重複步骤，因此进一步提高了影像製作的準确性，也增加了产品的性能与产量，也使得生产时间缩短。
目前，三星的 EUV 技术将从其第 4 代 10 奈米级的 DRAM 生产中开始全面部署。而三星也预计自 2021 年开始量产第 4 代 10 奈米级的 DDR5 和 LPDDR5。而在这样的製程下，将使 12 吋晶圆的生产效率提升 1 倍。而且，随着 2021 年 DDR5 和 LPDDR5 市场的扩展，三星也将进一步加强与 IT 客户及半导体供应商优化标準规格合作，加速整个记忆体市场开始向 DDR5 和 LPDDR 等规格产品发展。
另外，为了满足对新世代 DRAM 市场不断成长的需求，三星也将在 2020 下半年开始在南韩平泽工业区内建立第二条记忆体产线。
